スパッタリングターゲットのマグネトロンスパッタリング原理

スパッタリングターゲットという製品については聞いたことがあるユーザーも多いと思いますが、スパッタリングターゲットの原理についてはあまり馴染みのないものではないでしょうか。さて、編集者は、豊富な特殊素材(RSM) スパッタリングターゲットのマグネトロンスパッタリング原理を共有.

スパッタリングされたターゲット電極（カソード）とアノードの間に直交する磁場と電場を加え、高真空チャンバー内に必要な不活性ガス（通常はArガス）を充填し、永久磁石が表面に250～350ガウスの磁場を形成します。対象データの表面と高電圧電界により直交電磁界が形成されます。

電場の影響下で、Ar ガスは陽イオンと電子にイオン化されます。ターゲットには一定の負の高電圧が加えられます。ターゲット極から放出された電子に対する磁場の影響と作動ガスのイオン化確率が増加し、カソード付近に高密度のプラズマが形成されます。ローレンツ力の影響により、Ar イオンはターゲット表面に向かって加速し、非常に高速でターゲット表面に衝突します。ターゲット上にスパッタされた原子は運動量変換原理に従い、高い運動エネルギーでターゲット表面から基板に向かって飛び立ちます。膜を堆積します。

マグネトロンスパッタリングは、大きくトリビュタリスパッタリングとRFスパッタリングの2種類に分けられます。支流スパッタリング装置の原理はシンプルで、金属のスパッタリング速度も速いです。RFスパッタリングは広く使用されています。導電性材料のスパッタリングに加えて、非導電性材料のスパッタリングも可能です。同時に反応性スパッタリングを行い、酸化物、窒化物、炭化物などの材料を作製します。RF周波数を上げるとマイクロ波プラズマスパッタリングになります。現在では、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）マイクロ波プラズマスパッタリング法が一般的に用いられている。